РИЕ Етцхер

РИЕ Етцхер

Машине за реактивно јонско нагризање (РИЕ) су алати за суво нагризање високих{0}}перформанси изграђени на бази технологије радиофреквентног пражњења. Њихов основни трик? Спајање физичког бомбардовања са хемијским реакцијама за прецизно уклањање циљних материјала - без гужве, само прецизност.
Pošalji upit
Opis

Преглед производа

 

Машине за реактивно јонско нагризање (РИЕ) су алати за суво нагризање високих{0}}перформанси изграђени на бази технологије радиофреквентног пражњења. Њихов основни трик? Спајање физичког бомбардовања са хемијским реакцијама за прецизно уклањање циљних материјала-без муке, само прецизност.


Савршено се уклапају за цео ток рада у индустрији полупроводника, од истраживања и развоја до-производње у пуној мери. Силицијум, сложени полупроводници, све врсте диелектричних материјала-како назовете супстрат, могу да га урезују са прецизношћу. И они су као код куће у кључним процесима за најсавременију-технологију: интегрисана кола, оптоелектронски уређаји, 5Г комуникациона опрема, чак и квантни чипови.


Додајте дигиталну паметну контролу и аутоматско подешавање константног притиска и добијате{0}}чврсту поновљивост процеса и доследност урезивања сваки пут. Без обзира да ли изводите мале-серијске лабораторијске тестове или производите производе у фабрици, ове машине се неприметно прилагођавају. Требате додатне перформансе? Одлучите се за комору за пуњење ЛОАД ЛОЦК. Смањује атмосферску контаминацију, убрзава пуњење и одржава вакуум у комори чврстим-све како би створио чисто, стабилно окружење за високо{6}}прецизно гравирање. Закључак: помаже купцима да изгладе техничке недостатке од истраживања и развоја уређаја све до масовне производње.

 

Апликације

 

РИЕ машине блистају прецизним јеткањем и-прилагодљивошћу на више материјала-које су за-за истраживање и развој и производњу полупроводника. Ево где заиста испоручују:

1. Производња интегрисаног кола (ИЦ): Одлично за логичке чипове и меморију (ДРАМ, НАНД Фласх укључен). Закуцава микро-до-наносмерно гравирање на силицијумским подлогама и полисилицијумским капијама, одржавајући структуре кола и електричне перформансе стабилним.
2. Производња оптоелектронских уређаја: Уклапа се у ЛЕД и ВЦСЕЛ производњу. Урезује сафир, материјале на бази ГаН-и диелектричне слојеве СиО₂ да би изградио- регионе који емитују светлост и структуре таласовода, повећавајући ефикасност фотоелектричне конверзије.
3. 5Обрада Г комуникационог уређаја: Савршено за 5Г РФ опрему (филтери, појачала снаге). Урезује ГаАс, ГаН и СиЦ супстрате да би створио високо{3}}микро-нано структуре високе фреквенције, осигуравајући да сигнали остану стабилни чак и под високим{5}}условима високе фреквенције и велике-снаге.
4. Напредна истраживања полупроводника: Подржава нагризање са малим-оштећењима за квантне чипове (суперпроводљиве, типове квантних тачака) и микро-нано обраду најсавременијих-материјала као што су силицијум карбид и 2Д материјали-савршени за истраживање процеса истраживачких институција.
5. МЕМС и сензорско поље: Рукује МЕМС уређајима (акцелерометри, микроогледала) и полупроводничким сензорима. Урезује силицијум и диелектрике на бази силицијума{2}}да формира 3Д микроструктуре, обезбеђујући солидне механичке перформансе и осетљивост на детекцију.

 

Предности

 

1. Највиша{1}}прецизност:

Физичко и хемијско гравирање се укомпонује да постигне микро{0}}до{1}}тачност наноразмера-у складу са оним што захтева микро-нано производња.

01

2. Широка компатибилност материјала:

Лепо се игра са силицијумом, сложеним полупроводницима, диелектрицима и још много тога, покривајући потребе обраде у свим врстама поља.

02

3. Висока стабилност:

Поседује дигиталну контролу температуре и константну регулацију притиска, одржавајући процесе доследним и смањујући неуредне флуктуације.

03

4. Мала материјална штета:

Смањује штету и контаминацију подлоге на минимум, тако да оригинална својства ваших материјала остају нетакнута.

04

5. Велика флексибилност:

Можете се одлучити за ЛОАД ЛОЦК комору, а ми такође подржавамо прилагођена подешавања која одговарају сваком случају употребе који имате.

05

 

Параметерс

 

Ставка

Специфични индикатори

Применљива величина вафла

8 инча и испод

Етцхинг Рате

0,1-4μм/мин (специфична вредност зависи од врсте
материјал који ће бити урезан и стварни параметри процеса)

Етцхинг Униформити

±5% (на основу 6-инчне плочице, метода израчунавања:
(Максимална вредност- Минимална вредност)/(2кПросечна вредност))

Метода хлађења фазе подлоге

Водено хлађење

Контролни метод

Потпуна дигитална аутоматска контрола

Контрола притиска

Аутоматско подешавање константног притиска (обезбеђује процес
стабилност)

Опциона конфигурација

ЛОАД ЛОЦК комора за пуњење (може смањити атмосферске
загађење, побољшати ефикасност утовара и коморе
капацитет задржавања вакуума)

 

ФАК

 

Која је максимална величина плочице коју подржава ова РИЕ опрема?

8 инча и испод.

Који је опсег брзине гравирања?

0,1-4 μм/мин, што варира у зависности од материјала и процеса.

Може ли се прилагодити за јеткање сложених полупроводника као што су ГаАс и ГаН?

Да, такође подржава гравирање различитих материјала укључујући силицијум и СиО₂.

Који функционални модули се могу опционо конфигурисати?

ЛОАД ЛОЦК комора за пуњење може бити опционо конфигурисана.

Како се обезбеђује поновљивост процеса?

Потпуна дигитална контрола + аутоматско подешавање константног притиска за смањење флуктуација.т.

 

Popularne oznake: Рие Ецхер, Кина Рие Ецхер произвођачи, добављачи

Pošalji upit